bios内存条时序

术语
描述
CL（时序值）
从读取命令发出到数据输出到模块引脚所用的时钟周期数。
tRCD（行地址至列地址延迟）
从激活行到激活列所需的时钟周期数。
tRP（行预充电时间）
从关闭行到激活新行的所需时钟周期数。
tRAS（行地址选择至预充电时间）
从激活行到预充电行的所需时钟周期数。
tRRD（行激活至行激活延迟）
从激活行到激活新行的所需时钟周期数。
tWR（写预充电时间）
从写入命令发出到数据写入DRAM阵列所需的时钟周期数。

BIOS内存条时序
BIOS内存条时序是一组数值，这些数值指定内存模块在读取和写入数据时执行不同操作所需的时钟周期数。 较低的时序值表示内存模块可以更快地响应命令，从而提高系统性能。
内存条时序通常以一组四个数字表示，例如CL16-18-18-36。 这些数字对应于上表中列出的术语：
第一个数字（CL）是CAS延迟，这是最关键的时序值之一。
后续三个数字依次对应于tRCD、tRP和tRAS。
其他时序值，例如tRRD和tWR，也可能在BIOS中设置，但它们的影响通常较小。
优化内存条时序可以提高系统性能，但需要谨慎进行。 时序值过低会导致系统不稳定，因此建议仅对有经验的用户进行調整。