内存时序对照表bios

| 时序 | 缩写 | 定义 |
|---|---|---|
| Command Rate (命令速率) | CR | 发送读/写命令所需时钟周期数 |
| Row Address to Column Address Delay (行地址到列地址延迟) | tRCD | 激活行后，读取列数据所需的时钟周期数 |
| Row Precharge Time (行预充电时间) | tRP | 预充电行之前所需的时钟周期数 |
| Row Active Time (行激活时间) | tRAS | 行激活状态的最小时钟周期数 |
| Refresh Interval (刷新间隔) | tREF | 刷新内存单元所需的时钟周期数 |
| Refresh to Active Delay (刷新到激活延迟) | tRFC | 刷新操作后，激活行所需的时钟周期数 |
专业介绍：内存时序对照表 BIOS
内存时序对照表 BIOS 是一个工具，用于配置计算机内存的时序，以优化其性能和稳定性。 它包含一系列参数，决定了内存如何与计算机的其他组件通信。
优化内存时序可以带来以下好处：
提高内存带宽
减少延迟
提高系统稳定性
然而，过于激进的时序调整也可能导致系统不稳定或损坏。 因此，仔细调整这些参数并监控其效果非常重要。
当调整内存时序时，了解每个参数的作用至关重要：
Command Rate (CR)：较低的 CR 值可以提高内存带宽，但可能会导致不稳定。
Row Address to Column Address Delay (tRCD)：较低的 tRCD 值可以提高性能，但可能会导致错误。
Row Precharge Time (tRP)：较低的 tRP 值可以减少延迟，但可能会降低稳定性。
Row Active Time (tRAS)：较低的 tRAS 值可以提高带宽，但可能会导致错误。
Refresh Interval (tREF)：较低的 tREF 值可以提高稳定性，但会增加功耗。
Refresh to Active Delay (tRFC)：较低的 tRFC 值可以减少延迟，但可能会导致不稳定。
通过小心地调整这些时序，用户可以优化其内存子系统以获得最佳性能和稳定性。