内存条4000频率时序怎么调

随着内存条频率的不断提升，4000MHz 已成为主流配置之一。 为了充分发挥内存性能，时序调校至关重要。 本文将提供详细指南，帮助您在 4000MHz 频率下优化内存时序设置。
时序参数
内存时序由一系列数字组成，表示内存访问延迟。 主要时序参数包括：
CL（CAS Latency）：从命令发出到数据输出所需的时间。
tRCD（Row Address to Column Address Delay）：从行地址到列地址切换所需的时间。
tRP（Row Precharge Time）：关闭行地址所需的时间。
tRAS（Row Active Time）：行保持激活所需的时间。
调校步骤
1. BIOS 设置
进入 BIOS，在内存设置中找到时序控制选项。 将所有时序参数设置为默认值。
2. 使用 Memtest86
运行 Memtest86 内存测试工具，测试内存稳定性。 如果出现错误，则表示时序设置过于激进。
3. 逐个增加时序
从较宽松的时序开始，如 CL18、tRCD18、tRP18、tRAS38。 逐个增加每个时序，直至 Memtest86 测试通过。
4. 优化次要时序
在主时序稳定后，可以优化次要时序，如 tRFC 和 tWR。 这些时序对性能有较小影响，但可以进一步提升稳定性。
常见时序设置
以下是一些常见且稳定的 4000MHz 内存时序设置：
CL16、tRCD16、tRP16、tRAS36
CL18、tRCD18、tRP18、tRAS38
CL20、tRCD20、tRP20、tRAS40
注意事项
时序调校需要耐心和细心。
过于激进的时序设置可能会导致系统不稳定。
不同的内存颗粒可能需要不同的时序设置。
确保使用高质量的电源供应器和散热器。