内存超频不稳定怎么调时序

| 时序参数 | 调整方向 |
|---|---|
| CL | 逐渐增加 |
| tRCD | 逐渐增加 |
| tRP | 逐渐增加 |
| tRAS | 逐渐增加 |
| tRC | 逐渐增加 |
| CR | 逐渐增加 |
专业角度介绍：内存超频不稳定调时序
内存超频时，调整时序对于稳定性至关重要。 以下是一些专业提示：
从小调整开始： 逐一调整时序参数，每次仅增加1-2个刻度。
交叉验证： 调整一个时序参数后，确保测试整个内存套件，以验证稳定性。
先松后再紧： 从较松的时序开始，然后逐渐收紧，直到达到不稳定的临界点。
优先顺序： CL > tRCD > tRP > tRAS > tRC > CR
查看SPD信息： 参考内存模块上的SPD信息，了解其默认时序和超频潜力。
考虑松弛时间： 有时，增加松弛时间（如tRDRD/tWRWR）可以提高稳定性。
使用内存测试软件： 如MemTest86或HCI Memtest，以验证内存稳定性。
注意电压： 提高内存电压可能有助于稳定性，但不要过度。
降频： 如果时序调整失败，尝试降低内存频率，以降低压力。