内存超频时序怎么调怎么加电压

2、 以频率为主时，cl值适当调节，不稳定可以加大总值（就是时序四项中最后一项）。 调节到基本最大频率后，可以尝试加电压以到更大频率，ddr3的是1.65v，ddr4的是.5v。 一般频率值加一档（每档大约间隔266mhz），cl值加一。 （对于同一内存而言是这样的。

1、   第五代双倍数据速率DDR5双列直插式内存模块是一种高速、高性能的内存模块，适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。 与前几代内存模块相比，DDR5双列直插式内存模块具有更高的数据传输速率和更低的功耗，同时提供了更大的内存容量和更高的可靠性。 在数据密集型应用、云计算、人工智能等领域，DDR5双列直插式内存模块将成为未来的主流选择。 总之，DDR5双列直插式内存模块具有出色的性能和可靠性，适用于各种需要高带宽和低延迟的应用场景。 第五代双倍数据速率双列直插式内存模块 (DDR5) 插槽包括表面贴装技术，可以满足当今内存模块应用所需的更高数据速率,包括 288 位、0.85mm 间距。 DDR5 DIMM 插槽支持 288 插针 SMT 型UMAXCONN - DDR5 插槽连接器设计了短、中、长和窄锁闩选项，可满足不同的空间要求。 它还提供了多个颜色和电镀选项。 我们的 DDR5 插槽连接器专为提高数据速率而设计，可提供比 DDR4 DIMM 插槽连接器高两倍的性能。

4、 1、将内存电压逐步增加，通常每次增加0.05V左右，直到稳定运行。 但是，注意不要超过内存条规格的最高电压。 2、调整内存时序，可以尝试降低时序，比如将CL（CASLatency）值从15降到14或更低。 但是，要注意时序设置过低可能导致系统不稳定。

3、 稳健超频频率选择QVL最高值或降1-2挡，确认颗粒类型。 电压设置1.485V，稍高于最低体质的电压，时序设置参照前文，注重核心时序的调整。 ODT优化ODT有助于消除信号反射，提高兼容性，根据华硕主板的设置路径和数值调整，让超频更加稳定。

5、 3、如果超频的幅度不大，内存负担不重，一般不需要给内存加压。 另外选择好一些的超频内存，比如海盗盘或金士顿的hyperx系列，通常超频不太大也不需要加压。 如果内存不稳定，或幅度太大，可以适当加电压。 一般不要超过标准电压的10%是安全的。 4、给内存加压后，注意做好机箱散热。