内存超频的第二时序怎么调

表格介绍
| 时序 | 描述 |
|---|---|
| tCL | CAS延迟 |
| tRCD | 行激活到列激活延迟 |
| tRP | 行预充电时间 |
| tRAS | 行激活时间 |
| tRC | 行循环时间 |
专业介绍
内存超频的第二时序主要影响内存的读写性能。 调校时，可以按照以下原则进行：
1. 降低tCL、tRCD、tRP：降低这些时序可以提高内存的读写速度。 不过，也要注意稳定性，降低过大会导致系统不稳定。
2. 增加tRAS：增加tRAS可以提高内存的稳定性。
3. 保持tRC=tRAS+tRP：这是DDR内存的时序要求。
在实际调校中，可以尝试从以下设置开始：
tCL=16
tRCD=18
tRP=18
tRAS=32
tRC=50
然后根据系统稳定性和性能表现，逐步调整各时序值。