内存超频时序设置参数

内存超频时序设置参数

参数	说明
CL	Column Address Strobe Latency
tRCD	Row Address to Column Address Delay
tRP	Row Precharge Time
tRAS	Row Active Time
tRFC	Row Refresh Cycle Time

专业角度介绍

内存超频时序设置参数是影响内存性能的关键因素。 这些参数控制内存访问的时序，数字越小，时序越紧密，性能越好。
CL（Column Address Strobe Latency）是内存模块读取数据的命令发送到实际数据传输之间的时间。
tRCD（Row Address to Column Address Delay）是在激活行地址后发出列地址之前所需的延迟。
tRP（Row Precharge Time）是在预充电行之前所需的延迟。
tRAS（Row Active Time）是行保持激活状态以允许访问的时间。
tRFC（Row Refresh Cycle Time）是刷新内存单元所需的时间。
这些参数相互关联，因此调整一个参数可能会影响其他参数。 优化时序设置需要权衡性能、稳定性和功耗。