内存条超频3600时序设置

| 时序 | 值 |
|---|---|
| CL | 16 |
| tRCD | 19 |
| tRP | 19 |
| tRAS | 39 |
| tRC | 70 |
| CR | 1T |
| tRFC | 560 |
| tRFC2 | 440 |
| tRFC4 | 220 |
专业角度介绍
内存超频对时序的影响
当超频内存时，时序设置至关重要。 时序是控制内存模块如何访问和存储数据的延迟值。 较低的时序一般意味着更快的性能，但这也可能导致系统不稳定。
3600MT/s 时序设置的考量
对于 3600MT/s 的超频，以下时序设置是一个良好的起点：
CL (CAS Latency)：CL 是从发出读写命令到实际访问内存位置的延迟。 较低的 CL 值表示更快的响应时间。
tRCD (Row Address to Column Address Delay)：tRCD 是在发出 Row 地址命令和 Column 地址命令之间需要的延迟。 较低的 tRCD 值有助于提高数据吞吐量。
tRP (Row Precharge Time)：tRP 是在发出 Precharge 命令和 Activate 命令之间需要的延迟。 较低的 tRP 值可以减少内存访问延迟。
tRAS (Row Active Time)：tRAS 是内存行保持活动的持续时间。 较低的 tRAS 值可以提高内存效率，但可能导致稳定性问题。
tRC (Row Cycle Time)：tRC 是发出 Row 地址命令到下一个 Row 地址命令的延迟。 较低的 tRC 值可以提高内存带宽。
CR (Command Rate)：CR 指定内存模块在命令之间需要几个时钟周期。 1T CR 意味着一个时钟周期，2T CR 意味着两个时钟周期。 1T CR 提供更好的性能，但可能导致稳定性问题。
tRFC (Refresh Cycle Time)：tRFC 是内存模块刷新自身的延迟。 较低的 tRFC 值可以提高性能，但可能导致数据损坏。
其他注意事项
除了时序之外，以下因素也需要考虑：
内存电压：超频通常需要提高内存电压以保证稳定性。
散热：超频会导致内存模块发热，因此适当的散热措施至关重要。