内存超频时序跟电压到底怎么调

| 时序 | 电压 | 效果 |
|---|---|---|
| CAS Latency (CL) | 1.35V - 1.5V | 降低延迟，提高性能 |
| Row Address to Row Address Delay (tRCD) | 1.35V - 1.5V | 降低延迟，提高性能 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 1.35V - 1.5V | 降低延迟，提高性能 |
| Row Active Delay (tRAS) | 1.35V - 1.5V | 降低延迟，提高性能 |
| Command Rate (CR) | 1T - 2T | 降低延迟，提高性能 |
专业角度的介绍：
内存超频涉及调整内存时序和电压，以提高系统性能。 通过调整这些参数，可以减少内存延迟并提高带宽。
时序优化：
时序值指定内存执行操作所需的时间。 降低时序值（例如 CL、tRCD、tRP 和 tRAS）可以缩短延迟，从而提高性能。 然而，降低时序可能需要更高的电压。
电压调整：
提高电压可以稳定内存超频，但需要谨慎操作，因为过高的电压会导致内存损坏。 对于 DDR4 内存，推荐电压范围为 1.35V 至 1.5V。
超频步骤：
1. 使用 BIOS 或内存调优软件逐步增加时序值。
2. 如果出现不稳定，请提高电压以稳定系统。
3. 逐次降低时序值，同时监控系统稳定性。
4. 找到在不影响稳定性的情况下时序值和电压的最佳平衡。
注意事项：
内存超频存在损坏硬件的风险。
仅超频兼容超频的内存模块。
确保有足够的散热以防止内存过热。
超频后，运行压力测试以确保系统稳定性。