内存时序决定什么参数

| 时序参数 | 决定参数 |
|---|---|
| CAS延迟 (CL) | 内存访问数据时需要的时钟周期数 |
| 行地址到列地址延迟 (tRCD) | 行地址打开到列地址发出之间的时钟周期数 |
| 列地址到列地址延迟 (tCCD) | 连续列地址访问之间的时钟周期数 |
| 行激活时间 (tRAS) | 连续行地址访问之间的时钟周期数 |
| 刷新周期 (tREF) | 刷新内存单元所需的时钟周期数 |
专业介绍：
内存时序是指内存模块在访问和处理数据时所遵循的时序要求，它决定了内存的性能和稳定性。 常见的内存时序参数包括：
CAS延迟 (CL)：指的是从内存控制器发出数据请求到内存模块返回数据所需的时钟周期数。 CL值越小，内存访问速度越快。
行地址到列地址延迟 (tRCD)：指的是内存控制器激活一行内存单元后，再请求同一行的另一列内存单元所需的时钟周期数。 tRCD值越小，连续行内数据的访问速度越快。
列地址到列地址延迟 (tCCD)：指的是在同一行内存单元内连续访问不同列内存单元所需的时钟周期数。 tCCD值越小，连续列内数据的访问速度越快。
行激活时间 (tRAS)：指的是连续访问同一行内存单元所需的时钟周期数。 tRAS值越小，连续行内数据的访问速度越快。
刷新周期 (tREF)：指的是内存控制器刷新所有内存单元所需的时钟周期数。 tREF值越小，内存稳定性越好。
这些时序参数相互影响，共同决定了内存的整体性能。 时序参数较低通常表示内存速度更快，但也会增加功耗和发热。 因此，在选择内存模块时，需要根据实际需求和系统架构进行平衡考虑。