内存时序对应的4个参数

| 参数 | 描述 |
|---|---|
| CAS Latency (CL) | 读取数据之前需要的时钟周期数 |
| Row Address to Column Address Delay (tRCD) | 打开行地址和发送列地址之间的时钟周期数 |
| Row Precharge Time (tRP) | 关闭行地址并刷新数据之前的时钟周期数 |
| Row Active Time (tRAS) | 行地址打开之后可以访问数据的时钟周期数 |

专业介绍：内存时序对应的 4 个参数
内存时序是指内存芯片读取数据所需的延迟。 它由四个参数组成，如下：
1. CAS Latency (CL)：这是内存时序中最重要的参数，它表示从发送读取命令到读取数据所需的时钟周期数。 较低的 CL 值表示更快的内存。
2. Row Address to Column Address Delay (tRCD)：此参数表示从发送行地址到发送列地址所需的时钟周期数。
3. Row Precharge Time (tRP)：此参数表示从关闭行地址到可以刷新数据所需的时钟周期数。
4. Row Active Time (tRAS)：此参数表示行地址打开之后可以访问数据的时钟周期数。
这些参数共同决定了内存的整体性能。 较低的值通常会带来更高的性能，但也会增加内存的成本。 在选择内存时，应根据实际需求和预算来考虑这些参数。