ddr4内存时序参数对照表

| 参数 | 缩写 | 含义 |
|---|---|---|
| 时钟周期 | CL | 内存从接收到读写指令到执行指令之间所需的时钟周期数 |
| 行地址到列地址延迟 | tRCD | 行地址和列地址之间的延迟 |
| 列地址到列地址延迟 | tCCD | 同一列地址中的两次读写操作之间的延迟 |
| 行预充电时间 | tRP | 激活一个新行之前必须经过的预充电时间 |
| 活性至预充电延迟 | tRAS | 激活一个行到预充电之间的延迟 |
| 命令速率 | CR | 内存控制器的命令速率，以 MHz 为单位 |
| 突发长度 | BL | 每次内存访问所能读取或写入的数据块大小，通常为 8 或 16 |
专业视角
DDR4 内存时序参数对照表提供了有关 DDR4 内存模块性能至关重要的关键时序设置的信息。 这些参数决定了内存模块从接收到指令到执行指令之间所需的时钟周期数和延迟。
CL（时钟周期）是影响内存模块整体性能的最重要参数。 它通常标注为 CL15、CL16 或 CL18，较低的值表示更快的性能。
tRCD、tCCD 和 tRP代表内存控制器和内存模块之间的不同延迟。 较小的延迟值可以减少总延迟，从而提高性能。
tRAS是影响 CAS（列地址选通）延迟的一项关键参数。 较小的 tRAS 值可以减少读取和写入操作之间的延迟。
CR（命令速率）决定了内存控制器与内存模块之间的通信速率。 更高的 CR 值可以提高带宽。
BL（突发长度）指定了每次内存访问所能读取或写入的数据块大小。 较大的突发长度可以提高带宽，但在某些情况下可能会导致延迟。
通过优化 DDR4 内存时序参数，您可以最大限度地利用您的内存模块，提高系统的整体性能。 但是，重要的是要注意，过分激进的时序设置可能会导致系统不稳定。 因此，建议在稳定的系统中逐步调整这些参数。