DDR4 内存时序是影响计算机性能的关键因素。
优化这些时序可以提高系统稳定性、减少延迟并最大限度地发挥内存潜力。
最常见的时序设置是 CAS Latency(CL)、tRCD、tRP 和 tRAS。
它们的单位是时钟周期,表示内存控制器的命令和操作之间的时间延迟。
以下是一些一般建议的时序设置:
- CL: 越低越好,一般建议在 15-18 之间。
- tRCD: 比 CL 略高,通常为 CL+2。
- tRP: 通常与 tRCD 相同或稍低。
- tRAS: 约为 CL+10-15。
具体设置取决于内存模块的能力和系统配置。
建议在 BIOS 中进行手动调整,以找到最佳性能。
以下是一些提示:
- 从保守的时序开始并逐步降低。
- 使用内存测试工具,例如 MemTest86,以确保稳定性。
- 参考主板制造商的建议或咨询内存供应商。
优化 DDR4 内存时序可以显著提高系统速度和响应能力。
通过遵循这些指南,您可以最大限度地利用您的内存并打造一个更快的计算机。