内存时序参数详细介绍
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调整内存时序的步骤如下：
1设置BIOS设置：根据主板和电脑型号的不同，设置BIOS设置的方法可能有所不同。 通常，您必须在计算机打开时按特定键，例如F2、F12或删除键。 在BIOS设置中你会找到“Advanced”或“Memory”选项并进入内存时序调整选项。
2.调整CL（CASLatency）：CL是内存读写时的延迟时间。 您可以通过调整CL值来优化内存性能。 一般来说，较低的CL值会带来较高的性能，但也会增加延迟。 因此，您必须根据您的具体情况进行调整。 在BIOS设置中，找到CL值调整选项，根据自己的需要进行调整。
3.调整TRCD（RAStoCASDelay）：TRCD表示从RAS（行地址选择）信号到CAS（列地址选择）信号的时间。 这个时间的长短会影响内存的读写速度。 您可以通过调整TRCD值来优化内存性能。 在BIOS设置中，找到TRCD值调整选项，根据自己的需要进行调整。
4.调整TRP（RASPrechargeTime）：TRP表示预充电RAS信号所需的时间。 在读取或写入存储器之前，必须执行预充电操作，以消除先前的电荷。 您可以通过调整TRP值来优化内存性能。 在BIOS设置中，找到TRP值调整选项，根据自己的需要进行调整。
需要注意的是，不同的内存类型和不同的计算机配置可能需要不同的最佳内存时序调整值。 因此，您需要根据您的具体情况进行调整，并在测试中进行适当的优化。 ⒉内存时序是什么？对性能影响大吗？
Lion存储器有四个描述同步动态存取存储器（SDRAM）的电路：CL、TRCD、TRP和TRAS，并以时钟周期为单位。 因为通常有四个数字被碰撞分开，例如7-8-8-24。 第四个参数（RAS）常被省略，有时会增加第五个参数：Command，通常为2T或1T，也写为2N、1N。
这些参数指定影响随机存储器访问速度的延迟（延迟时间）。 较小的数字通常意味着更快的结果。 决定系统性能的最后一个因素实际上是延迟，通常以纳秒为单位。 记忆的时间安排在表现中起着重要作用。
扩展信息：
将内存时序转换为实际延迟时，最重要的是了解。 这是全天候的。 如果不知道时钟的周期时间，就不可能知道一组数字是否比另一组数字快。
例如DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。 从第一个时钟开始，CL=7给出7ns的绝对延迟。 更快的DDR3-2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可以使用更大的CL=9，但所得的绝对延迟要短6.75ns。
现代DIMM包含一个显示存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。 PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险），或者在某些情况下提高稳定性（因此建议使用时序）。
注意：但是内存是内存吞吐量的衡量标准，通常受到传输速率的限制。 通过中断对多个内部SDRAM存储体的访问，它可以以峰值速率连续传输。 然而，增加的延迟可能会导致成本增加。 特别是，每款新的DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有显着变化，特别是对于市场上的第一批新一代产品，其通常具有比上一代更长的带宽。
延迟也会增加内存，但增加内存可以提高具有多个处理器或多线程的计算机系统的性能。 在更高的带宽下，甚至可以在没有专用视频内存的情况下执行完整的电影图形工作。
参考资料：百度百科-内存时序
