内存超频3500最佳时序设置

超频3500MHz时序设置指南

超频内存至3500MHz可以带来显著的性能提升，但选择正确的时序至关重要。 本指南将提供最佳3500MHz内存时序设置，以最大化系统性能。

主要时序设置

CL（时钟周期延迟）是访问内存数据的关键延迟。 对于3500MHz，CL16或CL18是推荐设置。 tRCD（行地址到列地址延迟）和tRP（行预充电时间）在3500MHz下应分别设置为18和18。 （行从关闭时间）通常设置为35。

次要时序设置

次要时序设置也有助于提升性能。 对于3500MHz，tRAS（行主动到预充电延迟）设置为36或38。 tRFC（行刷新周期）设置为64。 tRRD（行激活到行激活延迟）和tRC（行循环时间）通常设置为6或8。

电压和稳定性

超频内存需要增加电压。 3500MHz需要大约1.35V至1.4V的电压。 稳定性至关重要，因此使用DRAM计算器或手动调整电压和时序时要谨慎。 在应用任何更改之前先进行压力测试。

总结

通过遵循这些最佳时序设置，您可以超频3500MHz内存，以获得更快的性能。 根据不同内存模块，实际设置可能会略有不同，因此根据需要微调以获得最佳结果。