双面内存超频3800最佳时序

将金士顿3200的内存超频到3600时，最佳的时序设置是18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟（CL）设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟（tRCD）设置为22个时钟周期，行预充电时间（tRP）设置为22个时钟周期，以及行活到预充电时间（tRAS）设置为42个时钟周期。 可以在保稳定性获得较高的性能。

开启需要在BIOS设置中进行，开启XMP之后，可以看到此时的内存频率已经变成了3200MHz，此时的内存时序为16-18-18-38。 通过测试可以看到内存条的读取、写入、复速度分别为43701MB/s、43650MB/s、38139MB/s，内存延迟为56.5ns。

增加内存稳定性，但会减低内存性能。 2、c设成额定最高时序，频率过高可适当加压。 3、开启cpu温度保护，但不要过低。 4、windows里不选择最小电源管理或关闭coolquiet。 amd3800X是一款具有8核心的桌面处理器。

  第五代双倍数据速率DDR5双列直插式内存模块是一种高速、高性能的内存模块，适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。 与前几代内存模块相比，DDR5双列直插式内存模块具有更高的数据传输速率和更低的功耗，同时提供了更大的内存容量和更高的可靠性。 在数据密集型应用、云计算、工智能等域，DDR5双列直插式内存模块将成为未来的主流选择。 总之，DDR5双列直插式内存模块具有出色的性能和可靠性，适用于各种需要高带宽和低延迟的应用场景。 第五代双倍数据速率双列直插式内存模块 (DDR5) 插槽包括表面贴装技术，可以满足当今内存模块应用所需的更高数据速率,包括 288 位、0.85mm 间距。 DDR5 DIMM 插槽支 288 插 SMT 型UMAXCONN - DDR5 插槽连接器设计了短、中、和窄锁闩选项，可满足不同的空间要求。 它还提供了多个颜色和电镀选项。 我们的 DDR5 插槽连接器专为提高数据速率而设计，可提供比 DDR4 DIMM 插槽连接器高两倍的性能。

内存可以超频至3800MHz，但具体实现取决于多个因素，包括内存模块的兼容性、主板的支以及正确的超频设置。 当我们提到CPU内存超频至3800MHz时，我们指的是将内存的运行频率提升至高于其原始规格的频率，即3800MHz。