作者： | 发布日期：2024-09-28 13:15:38
内存时序16-18-18-36 内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数： CL、TRCD、TRP和TRAS,单位为时钟周期。它们通常写为四个用破折号分隔开的数字，列如上图的16-18-18-36。第四个参数经常12800hx内存频率限，没法超过5600,14650hx就没有限。问了客服，两周时间过去了bios也没更新解决17.0万111 6.7万10 折腾半天机械革命旷世x不能解锁bios隐选项支xmp3.0系列内存实测金士顿风fury直接工作在cl38时序
一般来讲时序越低内存条性能越强，但如果过于降低时序又会增加硬件不稳定的风险。因此相同内存颗粒下：低时序、低电压、高容量、高频率的内存条性能越三星DDR内存颗粒的对照表可以根据不同的颗粒型号和规格进行整理，以下是一个归纳后的对照表： 1、颗粒型号解读容量与位宽：例如，“4G08"代表4Gb 8位颗粒，“AG"则可能代表容量为16Gb。生产日期：通常通过特定的码表示，如“843"可能代表内存颗粒的生产日期。版本与频率：颗粒的版本(如T-DIE)和内存的频率及时序信息，如“TD"可能代表特定的内存频率和时序。2、三星DDR内存颗粒
如何选择内存条？手把手带你了解内存的参数（容量通道频率时序）有问题咨询或购买需求的伙伴可以私信我们哦~ 公社将会为各位咨询的小伙伴解答的~~内存时序一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-84个数字的含义依次为：CASLatency(简称CL值)内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS-to-CASDelay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row一prechargeDelay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。Row-activeDelay(tRAS),内存行地址选通延迟。