ddr4内存时序最高上多少

DDR4内存时序限制

DDR4内存时序，指的是内存访问延迟和执行命令之间的等待时间。 时序越低，内存访问速度越快，系统性能越高。 DDR4内存时序通常以CAS（列地址选通延迟）、tRCD（行列预充电延迟）、tRP（行列预充电时间）和tRAS（行为刷新时间）等参数表示。 对于DDR4内存，一般来说：

• CAS时序：15~24


• tRCD时序：15~30


• tRP时序：15~30


• tRAS时序：28~48

提升DDR4内存时序的途径

提高DDR4内存时序的主要途径有：

• 超频：通过增加内存电压和时钟频率来提升性能。


• 精心挑选内存模块：选择具有较低时序的内存模块。


• 优化系统BIOS设置：调整内存时序相关参数，以优化性能。

超频风险和注意事项

超频可以有效提高DDR4内存时序，但需要注意以下风险和注意事项：

• 稳定性问题：超频可能会导致系统不稳定，甚至损坏硬件。


• 发热量增加：超频会增加内存发热量，需要做好散热措施。


• 保修失效：超频可能会使内存保修失效。

因此，在考虑超频提升DDR4内存时序时，一定要权衡利弊，并谨慎操作。