内存超频3200时序参数

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⓵内存超频3200,trefl设多少

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假设电压为1.35伏。 ddr4内存时序参数为3200(16)8G×16，CL16-16-161.35V即可，默认为DDR42133，1.2V，XMP加载可以直接将频率提高到DDR4320016-16-16-362T，高频时的电压是1.35伏。
如果你的ddr4内存的首次时序不固定，尽量不要改变首次时序。 首先，您应该从设置第二个时间开始。 一般来说，通过放大tRFC和tREF可以获得更高的频率。 DDR4内存与DDR4内存和DDR42内存不同的是，第一顺序对内存频率和性能影响不大。 ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大，可以适当减轻以提高超频后的稳定性，而tRRD对性能影响较大。 尽量避免为了高频而牺牲tRRD，虽然第三个时序也不清楚，经常被遗忘，但它对性能的影响不小，不建议为了高频而牺牲第三个时序，尤其是tRDRD和tWRWR。

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⓶镁光3200最佳时序

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Micron3200的最佳时机是第二个时机。 根据查询到的相关资料，从第一个时序开始，一般可以通过放大tRFC和tREF来获得更高的频率。 DDR4内存与DDR4和DDR42内存不同。 第一个时序的CR对内存频率和性能影响不大。 ddr4第三时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大，可以适当放宽，以提高超频后的性能。 稳定性，tRRD对性能影响较大，所以尽量避免牺牲tRRD来换取频率。