内存超频的几个重要时序

本文目录一览

• ⓵DDR内存时序指南
• ⓶金士顿3600内存最佳时序
• ⓷内存超频时序问题

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⓵DDR内存时序指南

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为了适应内存技术的飞跃，DDRSDRAM的创新使传输速度提高了一倍。 例如，DDR400的运行频率为200MHz，这使得1:1FSB和内存同步成为探索功率带宽的关键。 FSB/MEM比率，例如1200MHz的1:1，可以有效影响活动内存频率。
内存参数中，**CASLatencyControl(tCL)**，即内存读取延迟，是性能和稳定性的双重考验。 低宽度带来更快的速度，但必须保持稳定性。 一般来说，值为2性能最佳，值为3实现稳定，值为4和5则较为保守。
**tRCD(RAS#toCAS#delay)**，定时按键内存第二个参数。 建议从3或2开始，4是最稳定的设置，5是更保守的设置。 当表演结束后，尝试通过增加tRCD来打破它。
**tRAS(MinRAS#ActiveTiming)**，预激活时间顺序，设置在5到10之间，避免太长或太短对性能造成负面影响。 tRP预览时间建议为2到5。 DFI主板建议保持在这个范围内，以兼顾速度和稳定性。
tRC的周期时间顺序必须与tRAS和tRP一起调整。 太短会导致性能损失，而太长会影响数据完整性。 理想的设置是TRAS加tRP。 tRFC刷新周期时间的顺序对超频有影响。
内存参数的正确调整至关重要，例如tWR（写恢复延迟）和tWTR（读写延迟），以及刷新时间TREF，这些都影响性能和稳定性。 记忆。 不同的内存频率对应不同的刷新周期，必须仔细设置以避免数据丢失。
在DFI矩阵中，tREF和tRAS设置对稳定性有直接影响。 15.6us/3.9us组合相对稳定，而1.95us会造成带宽限制。 在内存好的情况下，选择200MHztREF可以达到性能和稳定性的最佳平衡。
了解并优化WriteCASLatency(tWCL)的随机延迟选项，例如Auto，以及各种选择1-8，以适应不同工作负载的需求。
最后，了解每种内存芯片的特性，例如Winbond、Hynix、Micron、Infineon和Samsung型号，取决于超频并选择合适的参数。 请记住，所有调整都是为了配对并保持稳定性所必需的，以便记忆能够以最佳状态完成。
在探索内存中最后的性能时，精心的组合和明智的选择是获得更好系统性能的关键，让每一步都给操作系统带来更流畅的体验。

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⓶金士顿3600内存最佳时序

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金士顿3600内存的最佳时序是4000到4266频率。

内存条的时序越低，超频能力越好，但这与内存条的频率有关。 3600的频率比3200高了400，18和16的时序差别不大。 对于高端频率来说，稍微超频就会在4000到4266之间，所以比3200频率更有优势。

记忆棒：

记忆芯片的状态一直沿用到286早期。 鉴于其无法拆卸更换，这给计算机的发展造成了现实的障碍。

鉴于此，内存模块应运而生。 内存芯片被焊接到预先设计好的印刷电路板上，并且内存插槽也使用在计算机主板上。 这样就彻底解决了内存安装和更换困难的问题。

在80286主板发布之前，内存并没有被世人重视。 此时的内存直接固化在主板上，容量只有64到256KB。 对于当时PC上运行的工作程序来说，这块内存的性能和容量足以满足当时软件程序的处理需要。

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⓷内存超频时序问题

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是的！时间越短越好，但这取决于频率。 当内存超频时，时序会增加。 DDR2的5-5-5-15可以超频到800MHz，800MHz默认也有这个时序。

DDR标准时序3-3-3-9-2T(400MHz)

DDR2标准时序5-5-5-15-2T(800MHz)

DDR3标准时序9-9-9-27-1T（1600MHz）

1T和2T的区别相反：1T延迟较小，速度高，稳定性低。 2T延迟大、速度慢、稳定性高。

DDR3s1T基本稳定，默认值为1T。 DDR2在使用1T时会导致动画暂停或蓝屏，这意味着稳定性较低。

还有内存NB频率。 值越高，记忆越有效。 但等级越高，就越不稳定。

我使用DDR31333MHz，超频到2000MHz，并将时序延长到11-11-11-28-80-1T。 双通道稳定，没问题。 频率越高，数据带宽越大。

内存超频的人相对较少。 他们通常是使用超频CPU的游戏玩家，并不关注内存时序。 因此，在超频之前必须先对内存进行超频。