DDR5 内存时序
CL |
tRCD |
tRP |
tRAS |
tRC |
32 |
39 |
28 |
56 |
84 |
34 |
42 |
29 |
58 |
87 |
36 |
44 |
30 |
60 |
90 |
38 |
46 |
31 |
62 |
93 |
40 |
48 |
32 |
64 |
96 |
DDR5 内存时序解释
DDR5 内存时序由一系列数字组成,描述了内存访问数据的延迟和速度。
这些数字表示以时钟周期为单位的时间量。
CL (CAS Latency):这是最常见的时序指标,表示从读取命令发出到读取数据返回所需的时间周期数。
较低的 CL 值意味着更快的性能。
tRCD (Row Address to Column Address Delay):这是从 Row Address 命令发出到 Column Address 命令发出所需的时间周期数。
tRP (Row Precharge Time):这是从 Row Precharge 命令发出到 Row Activate 命令可以再次发出所需的时间周期数。
tRAS (Row Active Time):这是连续行访问之间必须经过的最小时间周期数。
tRC (Row Cycle Time):这是从 Row Activate 命令发出到 Row Precharge 命令可以再次发出所需的时间周期数。
总的来说,更低的内存时序意味着更快的性能,因为数据访问的延迟较低。
但是,更低的时序通常与更高的内存价格相关联。
因此,在选择 DDR5 内存时,平衡性能和成本非常重要。
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