ddr5内存时序参数对照表

| 参数 | 描述 |
|---|---|
| CL | CAS 延迟 |
| tRCD | 行激活到列激活延迟 |
| tRP | 行激活预充电延迟 |
| tRAS | 行激活到预充电延迟 |
| tRFC | 行刷新周期 |
| tRFC2 | 主动刷新周期 |
| tRFC4 | 自刷新退出延迟 |
| tFAW | 访问间的激活窗口 |
| tWR | 写入恢复延迟 |
| tWTR | 写入到读转接延迟 |
| tRTP | 读到读转接延迟 |
| tWTP | 写入到写入转接延迟 |
| tRRD_L | 读到读延迟（Low Power） |
| tRRD_S | 读到读延迟（Self Refresh） |
| tRRD_D | 读到读延迟（Deep Power Down） |
| tCCD_L | 命令和数据间距（Low Power） |
| tCCD_S | 命令和数据间距（Self Refresh） |
专业角度的介绍
DDR5 内存时序参数是决定内存性能的关键因素。 这些参数定义了内存芯片以特定顺序执行操作的时序。
CL（CAS 延迟）是访问内存阵列中特定列所需的最少时钟周期数。 较低的 CL 值表示更快的内存访问速度。
tRCD（行激活到列激活延迟）是激活新行和列之间的延迟。 较低的 tRCD 值可提高随机访问性能。
tRP（行激活预充电延迟）是关闭行并使其进入预充电状态之前所需的延迟。 较低的 tRP 值可缩短访问新行的延迟。
tRAS（行激活到预充电延迟）是保持行处于激活状态的最小时钟周期数。 较低的 tRAS 值可减少刷新开销。
tRFC（行刷新周期）是执行刷新操作的频率。 较低的 tRFC 值可提高内存稳定性。
tRFC2（主动刷新周期）是内存处于主动状态时使用的刷新频率。 较低的 tRFC2 值可减少刷新开销。
tRFC4（自刷新退出延迟）是内存从自刷新状态恢复到主动状态所需的延迟。 较低的 tRFC4 值可缩短自刷新退出时间。
通过优化这些时序参数，可以显著提高 DDR5 内存的性能和效率。