1.HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。
2.内存芯片类型:(5D=DDRSDRAM);
3.处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V&VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V&VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V&VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V&VDDQ=1.8V)
4.芯片容量密度和刷新速度:(64:64M4K刷新;66:64M2K刷新;28:128M4K;
5.内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)
6.内存bank(储蓄位):(1=2bank;2=4bank;3=8bank)
7.接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8.内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
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