内存时序c22与c17差距多大

时序
c22
c17
差距
CAS延迟 (CL)
22
17
5
RAS到CAS延迟 (tRCD)
22
17
5
行地址到预充电延迟 (tRP)
22
17
5
刷新周期 (tRFC)
22
17
5
写预充电延迟 (tWR)
22
17
5

内存时序 C22 与 C17 的差距
内存时序是一组参数，用于定义内存模块如何与系统其他组件交互。 这些参数包括 CAS 延迟 (CL)、RAS 到 CAS 延迟 (tRCD)、行地址到预充电延迟 (tRP)、刷新周期 (tRFC) 和写预充电延迟 (tWR)。
内存时序 C22 和 C17 之间的关键区别在于 CL 值。 CL 值表示内存模块在接受读取或写入请求后，需要多少个时钟周期才能访问数据。 C22 时序的 CL 值为 22，而 C17 时序的 CL 值为 17。
这种 5 个时钟周期的差异会导致 C22 时序的内存模块比 C17 时序的内存模块访问数据更慢。 这可能会对系统性能产生轻微的影响，尤其是在处理大量数据或运行延迟敏感应用程序时。
除了 CL 值外，C22 和 C17 时序的其他参数也相同。 这意味着两者的 tRCD、tRP、tRFC 和 tWR 值均为 17 个时钟周期。
总的来说，C22 和 C17 内存时序之间存在 5 个时钟周期的差异，这可能会导致 C22 时序的内存模块访问数据比 C17 时序的内存模块略慢。 在选择内存模块时，重要的是要考虑系统的工作量并选择符合您的需求和预算的时序。