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内存3200 时序(3200内存时序低延迟却很高)

内存
2024-03-29 13:15:35
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内存 3200 时序

メモリ時序は、メモリチップがデータの読み取りと書き込みを行う速度を定義する一連の数値です。 3200 時序は、次のように構成されています。

CL (CAS レイテンシ): メモリがデータを読み出すまでに必要なクロックサイクル数

tRCD (行アドレスから列アドレスへの遅延): 列アドレスを読み出すのに必要なクロックサイクル数

tRP (行プリチャージ時間): 行アドレスをプリチャージするのに必要なクロックサイクル数

tRAS (行アクティブ状態時間): 行アドレスがアクティブ状態を維持できるクロックサイクル数

例
3200 CL16: CL が 16、他の時序が規定されていない場合の一般的なオプション
3200 CL14-18-18-36: より低レイテンシで、より高いパフォーマンスを実現
3200 CL18-22-22-44: レイテンシは高くなるが、安定性と互換性が高い

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